我国晶圆代工厂中芯(SMIC)和LSI生产商Innosilicon公布，她们早已完成了应用前面一种的N+1生产工艺生产制造的第一款中国芯片的数字设计。依据中芯的《梁梦颂》，在高效率层面，该企业的N+1加工工艺与tsmc的7nm连接点“基本上同样”。tsmc的N7级连接点是世界最优秀的连接点，仅次其5nmEUV加工工艺，这自身便是一个胆大的认为。
可是，细心科学研究一下基本知识，很显著，虽然N+1非常合理，但就特性和相对密度来讲，还还不够。与SMIC自身的14nm加工工艺对比，N+1减少了57%的功能损耗，逻辑性集成ic总面积降低了63%。可是，特性提高仅为20%上下。比较之下，TSMC的7nm连接点与14nm连接点对比，特性提升 了35%，输出功率高效率提升 了55%，相对密度提升 了3.3倍。
另一个难题是，中芯N+1加工工艺的产品成本比tsmc7nm工艺的产品成本高得多，后面一种与生产量立即有关。要再提升 一两年的生产量。因而，大家已经科学研究二零二一年乃至2023年的批量生产。
这主要是因为中芯迫不得已应用193nm扫描机，与tsmc的7nm(ASML)扫描机对比，它必须大量的生产制造流程，掩膜和原料。
中芯(SMIC)期待在其N+2连接点上引进EUV技术性，但英国近期的限定使其闲置。内部人士称，中芯早已得到了EUV步进电机扫描仪系统软件，但因为封禁，该系统软件并未安裝。
趣味的是，在具体刚开始大批量生产时，与别的高級步骤对比，N+1步骤的实际效果怎样。可是，请记牢，到时候tsmc将刚开始批量生产其3nm和2nm加工工艺。
